Samsungova 6. generacija 3D V-NAND SSDa donosi popriličan napredak
Samsung je najavio da je 6. generacija SSD-a koji koriste 3D V-Nand u proizvodnji. Radi se o okomito nanizanim ćelijama od kojih svaka pohranjuje 3 bita podataka, s obzirom da je trenutačni konvencionalni maksimum 256Gb po pojedinom čipu, radi se o poprilično zanimljivoj tehnologiji za „high-density“ pohranu.
Prvi diskovi biti će oni od 250 GB kapaciteta, a uz novu gustoću Samsung tvrdi da su poboljšali i zadržavanje podataka, ubrzali brzinu čitanja, odnosno spustili na 450 ms, a brzine pisanja mogu se približiti i 45 ms. Što predstavlja ubrzanje od otprilike 10% u odnosu na prethodnu generaciju uz korištenje 15% manje energije.
Šesta generacija 3D flash memorije koristi barem 100 slojeva (136 u slučaju inicijalnog 250GB modela), dok prošla generacija nije mogla probiti 99 slojeva. Ovakav korak naprijed je ključ za još gušće flash memorije u budućnosti, a Samsung vjeruje da bi ova generacija NAND-a mogla skalirati do 512Gb po čipu.
