Samsung završio razvoj 12-slojnog 3D TSV DRAM-a za HBM2 module visokog kapaciteta
GDDR VRAM je već duže vrijeme go-to memorija gaming grafičkih kartica, no GPU-i više nisu rezervirani isključivo za grafičku akceleraciju igara. AI i HPC, zajedno sa specijaliziranim FPGA modulima imaju itekako koristi od skalabilne snage koju nude grafičke kartice, ali kako bi se maksimalno iskoristila prednost takvih primjena sistem integratori u zadnje vrijeme sve više se okreću HBM memoriji koja nudi drastično viši kapacitet u manjoj površini. HBM2 je naravno sporiji od GDDR6 memorije, no Samsungov zadnji doseg u DRAM 3D pakiranju mogao bi HBM standardu dati prednost koja mu nedostaje.
Skok s 8 na 12 slojeva 3D DRAM pakiranja Samsung otvara put kojim bi se moglo zaobići ograničenje skalabilnosti Moore-ovog zakona. 12-slojni čipovi povezani su s PCB bazom kroz 60000 TSV (Trough Silicon Via) rupa u istoj debljini od 720 mikrona kao i „stari“ 8 slojni čipovi. Iz Samsunga su u ovom trenutku priznali da moraju povećati yieldove prije nego se krene u masovnu produkciju s obzirom na izazove u proizvodnji takvog pakiranja memorije.
Samsung će biti prva kompanija koja će nuditi 24 GB HBM2 module što će integratorima 48 GB ili čak 96 GB HBM memorije po kartici sa 2048 ili 4096-bitnom sabirnicom. Naravno 6 i 12 GB konfiguracije su još uvijek moguće.
Cijene u ovom trenutku nisu poznate no iz dosadašnjih iskustva može se očekivati da će biti više od GDDR6 modula.
