Sk Hynix razvija 176-slojni NAND za brže i jeftinije SSD-ove

Sk Hynix izvještava da je razvio 512 Gbitnu NAND memoriju temeljenu na 176 slojeva. Prema korejskoj kompaniji, čip dovodi do nižih troškova za NAND memoriju i omogućava veće propusne brzine.

To je treća generacija i memorije koje proizvodi SK Hynix pod nazivom ‘4D’. Proizvođač je započeo s ovom vrstom memorije još 2018.godine, zatim sa 96 slojeva kako je došao do 512 Gbita, a prošle godine uslijedio je 128-slojni NAND. U usporedbi s tom generacijom, nasljednik sa 176 slojeva će postizati 20 posto veću brzinu prilikom čitanja iz memorijskih ćelija. Propusnost novih memorija povećala se za 33 posto u odnosu na prethodnu generaciju, na ukupno 1,6 Gbit/s. SK Hynix želi započeti proizvodnju memorija za pametne telefone i druge mobilne proizvode sredinom sljedeće godine.