Nova memorija – FeRAM

Ferroelektrički ram, odnosno FeRAM, nova je vrsta memorije koja ne gubi stanje nakon nestanka napona. Toshiba i Infineon ujedinili su se pri izradi nove memorije koja će na tržište izaći u 2002. godini a upotrebljavat će ju uglavnom mobilni uređaji poput telefona i laptopa. FeRAM traži manji napon od sadašnjeg DRAM-a i SDRAM-a, a u isto vrijeme ne zahtjeva stalni napon da bi pamtio stanje, što će uvelike smanjiti potrošnju baterija na mobilnim uređajima.