Intel postiže veliki iskorak s Z-RAM memorijom za AI poslužitelje
Intel je na događaju Intel Connection Japan, predstavio prvi funkcionalni prototip svoje Z-Angle memorije (ZAM), tehnologije koja bi mogla postati konkurencija HBM-u u AI poslužiteljima. Ova inovacija rezultat je partnerstva s Saimemoryjem, podružnicom SoftBanka, i predstavlja značajan korak prema rješenju problema visokih performansi i energetske učinkovitosti memorije.
Vertikalno slaganje s dijagonalnim međuvezama
Z-Angle memorija koristi vertikalno slaganje DRAM slojeva, ali s dijagonalnim međuvezama umjesto standardnog vertikalnog prolaza kroz čipove. Prema Intelu, ova topologija omogućuje bolju disipaciju topline i smanjuje potrošnju energije za 40–50%, dok svaki čip može doseći kapacitet do 512 GB.
Arhitektura je rezultat Intelovog programa istraživanja napredne memorijske tehnologije, u suradnji sa Sandia National Laboratory. Joshua Fryman, CTO u Intel Government Technologies, izjavio je: „Standardne memorijske arhitekture ne zadovoljavaju potrebe umjetne inteligencije. Preispitujemo organizaciju DRAM-a kako bismo postigli poboljšanje performansi za red veličine.“
Planovi za komercijalizaciju
Intel planira prve funkcionalne prototipove ZAM-a lansirati 2027., dok bi komercijalna dostupnost mogla početi 2030.. Tvrtka obećava: Kapacitet 2–3× veći od HBM-a, 50% manja potrošnja energije i 60% manji trošak proizvodnje.
Opasnost povijesti Optanea
Iako zvuče impresivno, obećanja podsjećaju na neuspjeh Intel Optanea i 3D XPoint tehnologije, koja je također obećavala revoluciju u memoriji, ali je rezultirala velikim gubicima i napuštanjem proizvoda.
Ciljana tržišta i izazovi
Za razliku od Optanea, Z-Angle memorija ciljano je dizajnirana za hiperskalere poput Amazona, Googlea i Microsofta. Međutim, rizik ostaje: do 2030. godine konkurentske evolucije klasičnog HBM-a od Samsunga, SK Hynixa ili Microna mogle bi smanjiti potrebu za novom tehnologijom. Intel trenutno razvija elegantno tehničko rješenje, ali komercijalni uspjeh još uvijek nije zajamčen.
