AMD razvio 30% brže tranzistore

AMD-ovi inžinjeri su razvili tranzistore u tehnologiji “sillicon on insulator” (silicij na izolatoru) koji omogućuju 30% brže performanse nego dosadašnji. Tvrde da će već u lipnju izaći uređaji sa ovim tranzistorima. Također su razvili i 20-25% brže tranzistore na tehnologiji “strained silicon”. Sve će to biti pokazano u Kyotu 11.6 o.g.