Intel i Numonyx ostvarili veliko postignuće

· Krešimir Matanović

Tvrtke Intel Corporation i Numonyx B.V. objavile su ključno postignuće u istraživanju memorije s promjenjivom fazom (Phase Change Memory, PCM), nove tehnologije za zaštićenu memoriju koja spaja mnoge prednosti raznovrsnih vrsta memorije dostupnih na današnjem tržištu. Prvi su put istraživači predstavili 64-megabitni testni čip koji omogućuje smještanje više slojeva PCM mreža u jedno kućište. Ta otkrića otvaraju put proizvodnji memorijskih uređaja većeg kapaciteta, manje potrošnje energije i optimalnih dimenzija za aplikacije za pohranu te one koje koriste zaštićenu memoriju sa slučajnim pristupom.

Ta su postignuća rezultat dugoročnog zajedničkog istraživačkog programa Numonyxa i Intela, usredotočenog na istraživanje višeslojnih (slojevitih) mreža PCM ćelija. Intelovi i Numonyxovi istraživači sada mogu demonstrirati vertikalno integriranu memorijsku ćeliju, tzv. PCMS (Phase Change Memory and Switch, memorija i prekidač s promjenjivom fazom). PCMS se sastoji od jednog PCM elementa slojevito raspoređenog uz novi OTS prekidač u pravu prepletenu mrežu. Mogućnost slaganja PCMS-a u slojeve omogućuje skalabilnost pri većim gustoćama memorije, a pritom zadržava performanse karakteristične za PCM, što je izazov s kojim se sve teže nositi uz tradicionalne memorijske tehnologije.

Memorijske ćelije proizvode se slojevitim slaganjem elementa za pohranu i selektora, a nekoliko ćelija čini memorijske mreže. Intelovi i Numonyxovi istraživači uspjeli su implementirati tanki OTS s dva terminala kao selektor te prilagoditi njegova fizička i električka svojstva PCM skaliranju. Zahvaljujući kompatibilnosti tankog PCMS-a, sada je moguće proizvesti višeslojne prepletene memorijske mreže. Kada se međusobno integriraju i ugrade u pravu prepletenu mrežu, višeslojne mreže kombiniraju se s CMOS sklopovima radi primjene u dešifriranju, senzorima i logičkim funkcijama.

Dodatne informacije o memorijskoj ćeliji, prepletenoj mreži, eksperimentu i rezultatima bit će objavljene u zajedničkom izvješću pod naslovom “A Stackable Cross Point Phase Change Memory” te predstavljene na Međunarodnom sastanku o elektronskim uređajima za 2009. godinu koji će se 9. prosinca održati u Baltimoreu, u američkoj saveznoj državi Maryland. Izvješće su zajedno napisali Intelovi i Numonyxovi tehnolozi, a predstavit će ga DerChang Kau, Intelov viši glavni inženjer.

DRUGE NOVOSTI