Intel i Micron proizveli revolucionarnu memorijsku tehnologiju

Intel Corporation i Micron Technology, Inc. predstavili su tehnologiju 3D XPoint, zaštićenu memoriju koja bi mogla preobraziti sve uređaje, aplikacije i servise koji se oslanjaju na brz pristup velikim skupovima podataka. Tehnologija 3D XPoint već je puštena u proizvodnju, a predstavlja revolucionarno postignuće u memorijskoj procesnoj tehnologiji i prvu novu kategoriju memorije od uvođenja NAND flash memorije 1989.

Brzo širenje povezanih uređaja i digitalnih servisa generira vrlo veliku količinu novih podataka. Da bi ti podaci bili korisni, moraju se vrlo brzo pohranjivati i analizirati, što predstavlja izazov za davatelje usluga i graditelje sustava koji pri projektiranju memorije i rješenja za pohranu moraju misliti na odnos cijene, snage i performansi. Tehnologija 3D XPoint spoj je svih prednosti u pogledu performansi, gustoće, snage, zaštićenosti i cijene koje nude memorijske tehnologije danas dostupne na tržištu. Nova je tehnologija do tisuću puta brža i do tisuću puta izdržljivija od NAND memorije te deset puta gušća od klasične memorije.

Nakon više od desetljeća istraživanja i razvoja tehnologija 3D XPoint iz temelja je osmišljena kako bi se ispunila potreba za zaštićenom, izdržljivom, cjenovno pristupačnom pohranom i memorijom visokih performansi i velikih kapaciteta. Njome se na tržište uvodi nova klasa zaštićene memorije koja znatno smanjuje latenciju te omogućuje da se blizu procesora pohrani mnogo više podataka kojima je moguće pristupiti brzinom dosad nezamislivom za zaštićenu pohranu.

Inovativna prepletena arhitektura bez tranzistora stvara trodimenzionalnu mrežu u kojoj su memorijske ćelije smještene na križištu redaka i stupaca, čime se omogućuje pristup pojedinačnim ćelijama. Zbog toga je podatke moguće zapisivati i očitavati u malim dimenzijama, čime se postiže brže i učinkovitije čitanje/zapisivanje.

Dodatne pojedinosti o tehnologiji 3D XPoint:

• prepletena mrežasta struktura – okomiti vodiči povezuju 128 milijardi gusto posloženih memorijskih ćelija. U svakoj memorijskoj ćeliji pohranjen je samo jedan bit podataka. Takva kompaktna struktura rezultira visokim performansama i iznimno gustim bitovima.
• naslaganost – osim što su raspoređene u gusto prepletenoj mrežastoj strukturi, memorijske ćelije naslagane su u više slojeva. Prva verzija tehnologije omogućuje pohranu 128 Gb po kocki u dva sloja memorije. U budućim generacijama tehnologije može se povećati broj slojeva memorije te tako, uz klasičnu litografsku prilagodbu gustoće, dodatno poboljšati kapacitet sustava.
• selektor – memorijskim se ćelijama pristupa te se u njih zapisuje ili iz njih čita promjenom napona koji se šalje na svaki selektor. Time se uklanja potreba za tranzistorima te istodobno povećava kapacitet i smanjuju troškovi.
• ćelija koja brzo mijenja stanje – zahvaljujući malim dimenzijama ćelije, selektoru koji omogućuje brze promjene, prepletenoj mreži niske latencije i brzom algoritmu zapisivanja, ćelija može mijenjati stanje brže od svih danas dostupnih zaštićenih memorija.

Tehnologija 3D XPoint moći će se isprobati još ove godine, a Intel i Micron razvijaju samostalne proizvode utemeljene na njoj.