Samsung i problemi s DRAM-om: manji prinos, promjene u EUV procesu i novi planovi
Početkom godine pojavile su se informacije da Samsung ima problema s proizvodnjom DRAM memorije šeste generacije, rađene na naprednom 10nm 1c procesu. Glavni problem bio je jako nizak prinos – ispod 60%, pa su morali mijenjati cijeli tehnološki proces kako bi ga poboljšali.
Čini se da su njihovi inženjeri ipak napravili napredak. Prema pisanju Sedailya, sada se prinos kreće između 50 i 70%, dok je prošle godine, kad je sve tek počinjalo, bio ispod 30%. Iako je ovaj novi 1c DRAM proces još u fazi testiranja, plan je da do kraja 2024. krene u masovnu proizvodnju, i to kako za obični DDR5 tako i za skuplji HBM4. Naravno, kako tehnologija napreduje, tako se povećava i broj EUV (Extreme Ultraviolet) slojeva u procesu, što dodatno komplicira stvari. Međutim, s obzirom na to da su ti slojevi skupi i tehnički zahtjevni, Samsung je morao djelomično promijeniti prvotni plan. Više EUV slojeva znači veću preciznost, ali i veće troškove, pa su odlučili da je bolje ići na manje slojeva, uz pokušaj zadržavanja kvalitete i stabilnosti.
EUV litografija koristi ekstremno UV svjetlo kako bi se “nacrtali” sitni krugovi na čipovima. U klasičnim procesima to je rađeno s ArF (argon-fluorid) izvorima, koji su manje precizni. Glavna prednost EUV-a je što skraćuje broj koraka u proizvodnji, ali povećava složenost kad se koristi previše puta. Prema izvorima iz industrije, Samsung je smanjio broj EUV slojeva u 1c DRAM-u sa planiranih 8–9 na 6–7. Kod sljedeće generacije (1D DRAM), broj slojeva bi se mogao opet povećati. Glavni razlog smanjenja je upravo kompleksnost – što je više slojeva, to je teže održati stabilnost u kasnijim fazama proizvodnje. EUV omogućava preciznije “crtanje” krugova, ali uklanjanje viška u kasnijim koracima (jetkanje) postaje znatno teže što je krug finiji. Još jedan razlog za smanjenje EUV slojeva je trošak. Kad je prinos bio loš, Samsung je morao prilagoditi dizajn čipa – povećali su mu veličinu, što inače smanjuje efikasnost, ali su na taj način pokušali povećati završnu kvalitetu proizvoda. Drugim riječima, povećavanje broja EUV slojeva ne mora automatski značiti bolje performanse ili niže troškove. Ako nema dovoljno znanja i stabilnosti u procesu, prinos može pasti, a s njim i profitabilnost. Zato se Samsung odlučio na oprezniji pristup – manje EUV slojeva i veći fokus na stabilnost.
Samsung će biti prvi koji će predstaviti hibridnu povezanost u HBM4 memoriji, dok su njegovi konkurenti oprezni
Samsung predstavlja novi korisnički SSD, 9100 PROkoji podržava sučelje PCIe 5.0
Također, iako su već kupili dosta EUV opreme, zasad ne planiraju nove veće investicije. Umjesto toga, pokušavaju maksimalno iskoristiti ono što već imaju. Kako kažu iz industrije, jedan EUV uređaj košta između 300 i 500 milijardi wona, pa je logično da žele smanjiti amortizaciju i troškove.
Samsung je ranije bio kritiziran jer je prebrzo uvodio nove procese i tehnologije, često ispred konkurencije, što im se znalo obiti o glavu kad bi prinos bio loš. DRAM tehnologija ide redom: 1x, 1y, 1z, 1a, 1b i sad 1c generacija. EUV je uveden već s 1z generacijom, ali tada tehnologija još nije bila dovoljno zrela, pa su problemi s prinosom zapravo počeli tada i vuku se sve do danas.
S druge strane, SK hynix je bio oprezniji. Oni su kasnije krenuli s EUV-om, ali su zato uspjeli povećati marže i stabilnost proizvodnje. Njihov pristup se pokazao pametnijim – polako, ali stabilno. Micron je također krenuo s EUV-om od generacije 1γ (gama), ali zasad ga koriste samo za jedan sloj. Uglavnom, čini se da je Samsung odlučio povući ručnu – manje slojeva, više stabilnosti i pažljivije s novim investicijama. Vrijeme će pokazati je li to pravi potez.
