Samsung želi donijeti AI memoriju iz servera u pametne telefone

Samsung razvija novu generaciju memorijske tehnologije koja bi mogla značajno povećati AI performanse na pametnim telefonima i tabletima. Prema informacijama koje prenosi ETNews, kompanija radi na prilagodbi HBM memorije — danas rezervirane uglavnom za AI servere i podatkovne centre — za mobilne uređaje. Ako projekt uspije, budući Galaxy telefoni i tableti mogli bi dobiti znatno veću propusnost memorije, što bi omogućilo naprednije AI funkcije izravno na uređaju, bez oslanjanja na cloud obradu.

Što je zapravo HBM memorija?

HBM (High Bandwidth Memory) predstavlja memoriju ultra-visoke propusnosti koja se danas koristi u AI akceleratorima i najmoćnijim GPU-ovima za podatkovne centre. Za razliku od klasične mobilne DRAM memorije, HBM koristi višeslojnu strukturu čipova i ogroman broj međusobnih veza kako bi omogućio puno brži prijenos podataka uz veću energetsku učinkovitost. Problem je što je takva tehnologija dosad bila preskupa, prevelika i prezahtjevna za integraciju u tanke mobilne uređaje.

Samsung razvija novu VCS tehnologiju

Kako bi riješio taj problem, Samsung razvija novu tehniku pakiranja pod nazivom VCS. Trenutni mobilni DRAM čipovi koriste mikroskopske bakrene spojeve između memorijskih slojeva, ali broj konektora uglavnom je ograničen na 128 do 256. To ograničava brzinu prijenosa podataka i otežava dodatno povećanje performansi. Samsungova VCS tehnologija slaže DRAM slojeve u posebnu “ladder” konfiguraciju i koristi znatno više vertikalnih bakrenih stupova za komunikaciju između čipova. Kompanija je pritom povećala omjer visine i promjera bakrenih stupova s dosadašnjih 3-5:1 na čak 15-20:1, što značajno povećava propusnost memorije.

Problem je izdržljivost mikroskopskih spojeva

Što su bakreni stupovi viši, njihov promjer mora biti manji. Kada debljina padne ispod 10 mikrometara, postoji rizik od savijanja ili pucanja spojeva. Samsung zato koristi i FOWLP tehnologiju pakiranja, istu onu koja se spominje kod Exynos 2600 čipa. Ta metoda širi vodove prema van, povećava mehaničku čvrstoću i omogućuje dodavanje većeg broja konektora. Prema dosadašnjim rezultatima, nova tehnologija povećava ukupnu propusnost memorije za oko 30%.

Mobilni HBM još je daleko od masovne proizvodnje

Samsung još nije potvrdio kada bi ova tehnologija mogla stići u komercijalne uređaje. Najranije procjene govore da bi se mobilni HBM mogao pojaviti s čipovima Exynos 2800 ili Exynos 2900 generacije. Posebno je zanimljivo što bi Exynos 2800 navodno mogao biti prvi Samsungov SoC s vlastitim integriranim GPU rješenjem nove generacije. Istovremeno, izvještaji tvrde da i Apple istražuje mogućnost korištenja HBM memorije u budućim iPhone modelima, iako za sada nema službene potvrde. Huawei također navodno radi na sličnim rješenjima, ali geopolitičke okolnosti čine vrlo malo vjerojatnim da bi Samsung toj kompaniji isporučivao ovakvu tehnologiju.

Najveći problem i dalje je cijena

Unatoč velikom potencijalu, glavna prepreka za mobilni HBM ostaje cijena proizvodnje. DRAM memorija za pametne telefone već sada bilježi rast cijena, a HBM je višestruko skuplji za proizvodnju od klasične LPDDR memorije. Zbog toga proizvođači trenutno teško mogu opravdati njegovu integraciju u masovne uređaje. To znači da će AI mogućnosti na pametnim telefonima u narednim godinama i dalje prvenstveno ovisiti o snazi procesora, NPU jedinica i kapacitetu pohrane, a ne o memorijskoj propusnosti. Ipak, Samsungov razvoj pokazuje u kojem smjeru ide mobilna industrija: budući AI telefoni sve će više preuzimati tehnologije koje danas viđamo isključivo u podatkovnim centrima i AI serverima.