TSMC-ov proizvodni proces od 2 nm (N2) pokazao je stabilne performanse
TSMC je objavio da proizvodna linija 2 nm (N2) postiže 90% stabilnih performansi u odnosu na očekivanu razinu. Dodatno, performanse SRAM čipova od 265 Mb (32 MB) premašuju 80%, ovisno o seriji proizvoda. Prije tri mjeseca, učinkovitost SRAM-a bila je oko 70%, a prošle godine u ovo vrijeme samo 35 %. Ukoliko sve bude teći planirano, masovna proizvodnja bit će pokrenuta u drugom tromjesečju 2025. godine.
Podsjetnik: N2 je prva proizvodna linija koja implementira TSMC-ovu GAAFET (gate-all-around) tehnologiju i značajno se razlikuje od FinFET N3 koji je duže vrijeme u proizvodnji. Iako je Samsung bio prvi koji je uveo GAAFET iznad 3 nm, performanse nisu bile zadovoljavajuće. Samsung do sada nije proizveo ni jedan flagship čip za sebe koristeći ovu tehnologiju.
TSMC juri u budućnost s 2nm procesom
TSMC započeo rad na pretprodukciji 2nm probne proizvodnje
TSMC se pohvalio da je naručio dvostruko više traka nego za N5 proces (pri lansiranju). To pokazuje razinu žestoke konkurencije između tvrtki poput Applea, AMD-a, NVIDIJE i Qualcomma, gdje se sve bore za rano zauzimanje tržišnog udjela. Osim toga, TSMC je najavio da će 2026. godine uvesti N2P proces. U usporedbi s N3E, N2P proizvodni procesi bi mogli donijeti porast brzine od 15 do 20 %, smanjenje potrošnje energije od 30 do 40 %, te povećanje gustoće tranzistora za 1,15 puta. N2P neće koristiti BSPDN tehnologiju, ali će biti dostupni sljedećem procesu A16.
